采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML9303TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.4V@10µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML9303TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.4V@10µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML9303TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.4V@10µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：117000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3402PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF3117PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
