品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":115,"21+":9000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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类型:P沟道
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漏源电压:20V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
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连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
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ECCN:EAR99
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输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
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输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
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栅极电荷:8nC@4.5V
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输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: