采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：9204，"04+"：605775}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9335TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS2101PT1
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@6.4V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
