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    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订149个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订149个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订43个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订43个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP12DP06NMXTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP12DP06NMXTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP12DP06NMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€4.2W

    阈值电压:4V@520µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068LVT-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068LVT-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3068LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2245

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订90个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订90个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2241

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21319C 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21319C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订29个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订29个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3F30FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3F30FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订101个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订101个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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