采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1328pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：9067，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1328pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6681Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1328pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
