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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C050APTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C100BCTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：23.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A18GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1847}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：265mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1009UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2315ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：666789}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL307SPL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：3.45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：265mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS9342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS6802TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E075ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：23.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLTS2242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
