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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS63DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
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功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
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输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
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功率：5W€65.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：231nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8740pF@10V
连续漏极电流：30.9A€111.9A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
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包装方式：卷带（TR）
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