采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26P3LLH6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL42P4LLF6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15P6F6AG
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL42P4LLF6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL42P6LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL42P6LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL60P4LLF6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3525pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35P6LLF6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD35P6LLF6
工作温度：175℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
