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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA1
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功率：58W
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栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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生产批次：{"23+"：40055，"MI+"：8001}
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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漏源电压：40V
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类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
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阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
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栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
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