品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS401EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: