采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：670，"16+"：38035，"17+"：15323}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1350-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@20V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@9.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1978}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP108-TL-H
工作温度：150℃
功率：60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：10.4mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8P4LLF6
工作温度：150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G110ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@20V
连续漏极电流：11A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.4mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0400P-ZK-E1-AY
工作温度：150℃
功率：1W€25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
