品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":48970}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3435_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0701N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,5V
漏源电压:16.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3435_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3435_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP0701N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:袋
输入电容:250pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@300mA,5V
漏源电压:16.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: