采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
输入电容：1040pF@12V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
栅极电荷：12.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR020P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1A025APT2CR
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF020P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A060ZPTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
导通电阻：16mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZL025P01TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A030APTL
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P-Channel
导通电阻：62mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J505NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：37.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZL025P01TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A030APTL
工作温度：150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P-Channel
导通电阻：62mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
