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    类型: P沟道
    阈值电压: 3V@250µA
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@20V

    连续漏极电流:39A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8,2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:385
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4023SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4023SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4023SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4023SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1091pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOI4185
    AOS Mosfet场效应管 AOI4185

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOI4185

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:70
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4189

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@20V

    连续漏极电流:39A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8,2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS9511L-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS9511L-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":32866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS9511L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@20V

    连续漏极电流:39A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8,2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P04-04L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189
    AOS Mosfet场效应管 AOD4189

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4189

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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