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    品牌: VISHAY
    类型: P沟道
    阈值电压: 3.5V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

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    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

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    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

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    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

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    栅极电荷:11nC@10V

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    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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