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    类型: P沟道
    阈值电压: 2.5V@250µA
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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5000
    谷峰 Mosfet场效应管 4435
    谷峰 Mosfet场效应管 4435

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:24
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4405
    UMW Mosfet场效应管 AO4405

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4405

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4405
    UMW Mosfet场效应管 AO4405

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4405

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3216pF@15V

    连续漏极电流:34A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G16P03D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4405
    UMW Mosfet场效应管 AO4405

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4405

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM600P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM600P03CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM085P03CV RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM085P03CV RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3234pF@15V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G16P03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4401P-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4401P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3228pF@15V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G16P03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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