采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80P03P4L04AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P08-25L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P10-43L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH4R714MC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P10-43L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P10-43L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P03P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：137W
阈值电压：2V@253µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
