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    类型: P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 10A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@20V

    类型:P沟道

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@20V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4485
    UMW Mosfet场效应管 AO4485

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4485

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@20V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:635
    AOS Mosfet场效应管 AON3419
    AOS Mosfet场效应管 AON3419

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4423DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4423DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@600µA

    栅极电荷:175nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:635
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4423DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4423DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@600µA

    栅极电荷:175nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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