品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:15mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@20V
类型:P沟道
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:15mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:15mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10P3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@600µA
栅极电荷:175nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4423DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@600µA
栅极电荷:175nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: