采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50XPAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€4.63W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50XPAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€4.63W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7326D2TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50XPAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€4.63W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50XPAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€4.63W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@20V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A052PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
