品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:124nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6334pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:124nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6334pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:124nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6334pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:124nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6334pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@6V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:124nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6334pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:38nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: