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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：6HP04MH-TL-W
工作温度：150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.1pF@20V
连续漏极电流：370mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAQ045P01TCR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1615
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ015P10TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAQ045P01TCR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J375F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
