品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185L
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1626pF@20V
连续漏极电流:8A€22A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1626pF@20V
连续漏极电流:8A€22A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1626pF@20V
连续漏极电流:8A€22A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD413A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685-F085P
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4023SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD413A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1125pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@20V
连续漏极电流:64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10,8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P04-04L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: