采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：237925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：303000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：28090}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25485F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：533pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@900mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV50UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25211W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：5675，"10+"：44757，"11+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3133PFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
