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    类型: P沟道
    漏源电压: 20V
    功率: 1W
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:54
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订600个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订600个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订81个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订81个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 FDN335N 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1347
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1345-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02TL 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02TL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J424TU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J424TU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J424TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J414TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J414TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J414TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTL020P02FRATR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTL020P02FRATR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTL020P02FRATR

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    导通电阻:100mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J501NU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J328R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J328R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J331R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J331R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J331R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J422TU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J422TU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J422TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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