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    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF2955T1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF2955T1G

    输入电容:492pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    导通电阻:185mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.3nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG

    功率:3.2W€40W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    输入电容:1258pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTWG 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTWG 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:6nC@10V

    类型:P沟道

    输入电容:250pF@25V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    功率:3W€18W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    输入电容:2400pF@20V

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    功率:50W

    栅极电荷:55nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01

    功率:4.1W€118W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:11A€61A

    导通电阻:16mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:85nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    类型:P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:750pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:55W

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP27P06

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    功率:120W

    输入电容:1400pF@25V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    连续漏极电流:27A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G 起订1625个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G 起订1625个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:600pF@20V

    漏源电压:60V

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    功率:3.2W€40W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    输入电容:1258pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.8W€150W

    输入电容:4400pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:10A€64A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:83nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    功率:3W

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF2955T1G

    输入电容:492pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:170mΩ@750mA,10V

    连续漏极电流:2.6A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:14.3nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@1mA

    功率:1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    栅极电荷:22nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP27P06

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    功率:120W

    输入电容:1400pF@25V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    连续漏极电流:27A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLTAG

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:6nC@10V

    类型:P沟道

    输入电容:250pF@25V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    功率:3W€18W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":10000}

    规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01

    功率:4.1W€118W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:11A€61A

    导通电阻:16mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:85nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"24+":32300}

    规格型号(MPN):NDS9407

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    功率:3.2W€40W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    输入电容:1258pF@30V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    功率:2.5W€38W

    漏源电压:60V

    输入电容:550pF@25V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:9.4A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5117PLT4G-VF01 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01

    功率:4.1W€118W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:11A€61A

    导通电阻:16mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:85nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0610 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0610

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    栅极电荷:2.5nC@10V

    漏源电压:60V

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    阈值电压:3.5V@1mA

    连续漏极电流:120mA

    类型:P沟道

    输入电容:79pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP47P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP47P06

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:3600pF@25V

    功率:160W

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP27P06

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    功率:120W

    输入电容:1400pF@25V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    连续漏极电流:27A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1342-E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1342-E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"17+":17839}

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):SFT1342-E

    工作温度:150℃

    输入电容:1150pF@20V

    功率:15W

    阈值电压:2.6V@1mA

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5124PLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5124PLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5124PLT1G

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:240pF@25V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    导通电阻:230mΩ@3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLTAG

    输入电容:1258pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    功率:3.2W€21W

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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