品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
输入电容:492pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
功率:3.2W€40W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
输入电容:1258pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6nC@10V
类型:P沟道
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:260mΩ@3A,10V
功率:3W€18W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP113-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:2400pF@20V
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
功率:50W
栅极电荷:55nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
功率:4.1W€118W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:11A€61A
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:750pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
输入电容:600pF@20V
漏源电压:60V
导通电阻:100mΩ@2A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:1.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
功率:3.2W€40W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
输入电容:1258pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.8W€150W
输入电容:4400pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:10A€64A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:83nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@17A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
功率:3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF2955T1G
输入电容:492pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:170mΩ@750mA,10V
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:60V
栅极电荷:14.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTAG
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6nC@10V
类型:P沟道
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:260mΩ@3A,10V
功率:3W€18W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":10000}
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
功率:4.1W€118W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:11A€61A
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"24+":32300}
规格型号(MPN):NDS9407
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@3A,10V
类型:P沟道
功率:2.5W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
功率:3.2W€40W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
输入电容:1258pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
功率:4.1W€118W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:11A€61A
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
导通电阻:10Ω@500mA,10V
阈值电压:3.5V@1mA
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
输入电容:79pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP47P06
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3600pF@25V
功率:160W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":17839}
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SFT1342-E
工作温度:150℃
输入电容:1150pF@20V
功率:15W
阈值电压:2.6V@1mA
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:袋
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:240pF@25V
漏源电压:60V
栅极电荷:4.3nC@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
导通电阻:230mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTAG
输入电容:1258pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
功率:3.2W€21W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: