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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFS2P753Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：散装
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC610PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
