品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6U24TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:1.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRQ020P03TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3401_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9303TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.4V@10µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:165mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML5203TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: