品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:1290pF@6V
漏源电压:12V
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
输入电容:2300pF@6V
工作温度:150℃
栅极电荷:26nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":21000}
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1157pF@6V
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":21000,"14+":17950,"16+":15000}
规格型号(MPN):CPH6337-TL-E
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
工作温度:150℃
阈值电压:1.4V@1mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:1250pF@6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":21000}
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1157pF@6V
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:12V
输入电容:405pF@6V
工作温度:150℃
功率:1W
栅极电荷:5.6nC@4.5V
连续漏极电流:3A
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:99nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.4W€48W
输入电容:1250pF@6V
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3405pF@6V
功率:2.4W
类型:P沟道
栅极电荷:29nC@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3405pF@6V
功率:2.4W
类型:P沟道
栅极电荷:29nC@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":9000}
规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1570pF@6V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:99nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.4W€48W
ECCN:EAR99
输入电容:1250pF@6V
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC606P
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1699pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6351-TL-W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20.5nC@4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
输入电容:2200pF@6V
导通电阻:16.9mΩ@4.5A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC606P
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1699pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:1250pF@6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:21nC@4.5V
连续漏极电流:6.7A
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:1290pF@6V
漏源电压:12V
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8309-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
功率:1.5W
输入电容:1780pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:9.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:12V
输入电容:405pF@6V
工作温度:150℃
功率:1W
栅极电荷:5.6nC@4.5V
连续漏极电流:3A
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
栅极电荷:17nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:1138pF@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC606P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1699pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":42441}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3383-TL-H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@1.5A,2.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6336-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1882}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3433T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@5V
连续漏极电流:2.35A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: