品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: