品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€455mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€455mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€455mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€455mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.97W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV50EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW€455mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: