采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185L
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7139DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4185
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：1.9V@105µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3190pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7655ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
