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    类型: P沟道
    连续漏极电流: 36A
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ36P15P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ36P15P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ36P15P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA36P15P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA36P15P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA36P15P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA36P15P 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA36P15P 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA36P15P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4497DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4497DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9685pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP36P15P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP36P15P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP36P15P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP36P15P 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP36P15P 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP36P15P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T2_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T2_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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