采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A40PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A40PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC642P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A40PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1000，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A40PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2596}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A40PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC658AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
