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    类型: P沟道
    连续漏极电流: 3.3A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3068L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6415 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6415

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订90000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订90000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1382pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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