采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
功率：5.3W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：5.3A
输入电容：551.57pF@15V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM9435CS RLG
功率：5.3W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：5.3A
输入电容：551.57pF@15V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV35EPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
