采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080P05TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD080P05TL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：93.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPTL1
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8107，LF
工作温度：175℃
功率：1W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H080SPFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@8A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
