品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2694pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: