采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2407pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2407pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2407pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CH X0G
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM480P06CP ROG
工作温度：-50℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
