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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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功率：41W
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类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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功率：41W
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栅极电荷：37nC@10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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功率：41W
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栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
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栅极电荷：37nC@10V
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连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
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类型：P沟道
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
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功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
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功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
连续漏极电流：20A
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：1650pF@10V
导通电阻：25mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
功率：1.2W€38W
工作温度：175℃
类型：P沟道
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
类型：P沟道
功率：41W
输入电容：1850pF@10V
栅极电荷：37nC@10V
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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