采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：21993}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS223PWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@1.5µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@15V
连续漏极电流：390mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@390mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
