首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: P沟道
    功率: 3W
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT456P 起订4000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT456P 起订4000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT456P

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    输入电容:1440pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL9P3LLH6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL9P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E260ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@15V

    连续漏极电流:26A€80A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3453DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3453DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:165mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E260ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@15V

    连续漏极电流:26A€80A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E260ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E260ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:175nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7850pF@15V

    连续漏极电流:26A€80A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.1mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1431EH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1431EH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E220ATTB1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E220ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@2mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@15V

    连续漏极电流:22A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G16P03S 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G16P03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧