品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068P03L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@150µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7720pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068P03L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@150µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7720pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068P03L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@150µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7720pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL60P4LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3525pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@6.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL62P3LLH6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: