品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:6.1A€18A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250SQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:920mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@30V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250S-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:920mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@30V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:345nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:6.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90P06-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@30V
连续漏极电流:7.2A€23.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:345nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:6.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: