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    类型: P沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 3V@250µA
    当前匹配商品:600+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:6.1A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250SQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250SQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6250SQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:920mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@30V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6023SK3Q-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6023SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6250S-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:920mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@30V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:345nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90P06-09L-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90P06-09L-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90P06-09L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€250W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:345nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD407 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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