品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ411EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:150nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ411EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:150nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:164nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10015pF@6V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:180nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11680pF@6V
连续漏极电流:238A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: