销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1000,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2596}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: