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    类型: P沟道
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    当前匹配商品:200+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订3000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R712MD,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH1R712MD,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH1R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:182nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.7mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J214FE(TE85L,F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J214FE(TE85L,F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J214FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3C150BCTB

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J771G,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J771G,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J771G,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@3A,8.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3C150BCTB

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP152A12C0MR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP152A12C0MR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP152A12C0MR-G

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J332R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J332R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3C150BCTB

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J352F,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J352F,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J332R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订200个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订200个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3C150BCTB

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订900个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J332R,LF 起订900个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J332R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3C150BCTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3C150BCTB

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C035BCTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C035BCTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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