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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
输入电容：3800pF@25V
导通电阻：120mΩ@15A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：64nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：15A
功率：1.35W€50W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ151P10TL
工作温度：150℃
功率：1.35W€50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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