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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1800pF@10V
栅极电荷：24.8nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1800pF@10V
栅极电荷：24.8nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J502NU，LF(T
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
导通电阻：23.1mΩ@4A，4.5V
输入电容：1800pF@10V
漏源电压：20V
功率：1W
连续漏极电流：6A
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1800pF@10V
栅极电荷：24.8nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1800pF@10V
栅极电荷：24.8nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J130TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J140TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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