采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J505NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：37.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17839}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1150pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1150pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
