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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT190N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：129W

阈值电压：4V

栅极电荷：31nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT190N65S3H

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功率：129W

阈值电压：4V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：99000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R115CFD7AATMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：114W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：41nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：115mΩ

漏源电压：650V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R105CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：140W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：105mΩ

漏源电压：650V

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包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R105CFD7XTMA1

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功率：140W

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连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1

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栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

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漏源电压：650V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

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栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

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栅极电荷：23nC

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连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

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栅极电荷：41nC

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连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

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栅极电荷：36nC

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栅极电荷：23nC

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类型：MOSFET

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功率：129W

阈值电压：4V

栅极电荷：31nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

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阈值电压：4V

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连续漏极电流：21A

工作温度：-40℃~+150℃

导通电阻：115mΩ

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类型：MOSFET

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